型号:IDT70V657S10BC8 | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:256-LBGA | 描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 双端口,异步 |
存储容量 | 1.125M(32K x 36) |
速度 | 10ns |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 256-LBGA |
供应商器件封装 | 256-CABGA(17x17) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道) |
北京青山盛世电子技术有限公司 | 李小姐086-010-82610856 |
北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
深圳市昌和盛利电子有限公司 | 朱生/李小姐0755-83679110 0755-23125986 |
北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
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Hirose Electric Co Ltd
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1210(3225 公制)
RES 10.7K OHM 1/2W 1% 1210 SMD
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JUMPER-H1503TR/A2015A/X 8"
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28-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
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径向,Can
CAP ALUM 820UF 63V 20% RADIAL
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Hirose Electric Co Ltd
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28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
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Hirose Electric Co Ltd
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径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 12000UF 10V 20% SNAP
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Hirose Electric Co Ltd
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Panasonic Electronic Components
轴向
RES 4.3 OHM 1W 5% METAL FILM
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1210(3225 公制)
RES 10.7 OHM 1/2W 1% 1210 SMD
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径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 33000UF 10V 20% SNAP
- H2AXG-10110-A8-ND
跳线,预压接线
Hirose Electric Co Ltd
JUMPER-H1503TR/A3048A/X 10"
- CRCW1210110KFKEA
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
1210(3225 公制)
RES 110K OHM 1/2W 1% 1210 SMD
- ERX-1SJ7R5A
通孔电阻器
Panasonic Electronic Components
轴向
RES 7.5 OHM 1W 5% METAL FILM